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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
60
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
50
150 C
-55 C
25 C
10
1
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
10
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.4
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
0.1
4
5
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6 7 8
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
9
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.9
0.8
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
0.7
10
o
25 C
0.6
0.5
V GS = 10V
o
0.4
V GS = 20V
1
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.3
0
10
2 0
o
30
0.5
1.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
50000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10000
C oss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 150V
V DS = 300V
1000
C iss
6
V DS = 480V
100
10
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
4
2
1
0.1
2. f = 1MHz
1 10 100
600
0
0
*Note: I D = 4.5A
5 10 15
20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCD9N60NTM Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
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